| 发明名称 | 金属内连线结构及其制程 | ||
| 摘要 | |||
| 申请公布号 | TWI512894 | 申请公布日期 | 2015.12.11 |
| 申请号 | TW102127302 | 申请日期 | 2013.07.30 |
| 申请人 | 华邦电子股份有限公司 | 发明人 | 蔡昇达 |
| 分类号 | H01L21/768 | 主分类号 | H01L21/768 |
| 代理机构 | 代理人 | 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;叶璟宗 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1 | |
| 主权项 | 一种金属内连线制程，包括：提供一基底，该基底上已形成一第一介电层，且该第一介电层中已形成一导体插塞；在该第一介电层上形成一第二介电层；该第二介电层中形成一第一介层窗开口；在该第二介电层的表面以及该第一介层窗开口的侧壁与底部形成一衬层；于该第一介层窗开口中填入一填充层；于该衬层上形成一第三介电层；以及形成一自行对准双重金属镶嵌结构，该自行对准双重金属镶嵌结构穿过该第三介电层以及该第一介层窗开口中的该填充层与该衬层，与该导体插塞电性连接。 | ||
| 地址 | 台中市大雅区科雅一路8号 | ||