| 主权项 |
一种在半导体元件上形成细微图案的方法，该方法包括：在半导体基板上形成目标层；在该半导体基板的单元区域中的该目标层上形成第一牺牲膜图案且在该半导体基板的周围区域中形成第二牺牲膜图案；在该第一牺牲膜图案和该第二牺牲图案的第一和第二侧壁上形成间隔物；在相邻间隔物之间形成间隙填充图案，其中该间隙填充图案填充在该相邻间隔物之间的一空间；移除在该第一牺牲膜图案和该间隙填充图案之间的间隔物的部分，并且移除在该第二牺牲膜图案与该间隙填充图案之间的间隔物的部分；以及使用该第一牺牲膜图案和该间隙填充图案作为蚀刻遮罩来图案化该目标层以形成目标图案，其中该方法进一步包括：图案化该第一牺牲膜图案以形成第三牺牲膜图案；以及图案化该第二牺牲膜图案以形成第四牺牲膜图案，其中，使用该等第三和第四牺牲膜图案和该间隙填充图案来图案化在该单元区域和该周围区域中的目标层。
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