| 摘要 |
<p>Ａｌの含有量がＡｌ２Ｏ３換算で０．２〜３．０ ｍｏｌ％、Ｍｇ及び／又はＳｉの含有量がＭｇＯ及び／又はＳｉＯ２換算で１〜２７ ｍｏｌ％、残部がＺｎのＺｎＯ換算の含有量からなる基本組成に対して、さらに融点が１０００?Ｃ以下の低融点酸化物を形成する金属を酸化物重量換算で０．１〜２０ｗｔ％含有することを特徴とするスパッタリングターゲット。硫黄を含有せず、バルク抵抗が低くＤＣスパッタリングが可能であり、低屈折率の光学薄膜形成用ターゲット及びその製造方法を提供する。ターゲット自体が高密度であるため、異常放電が少なく、安定したスパッタリングが可能である。さらに、スパッタ成膜した薄膜は、透過率が高く、非硫化物系で構成されているため、隣接する反射層、記録層の劣化が生じ難い光情報記録媒体用薄膜の形成に有用である。光情報記録媒体の特性の向上、設備コストの低減化、成膜速度の向上によるスループットを大幅に改善する。</p> |
