发明名称 蓝宝石指纹识别面板的制备方法
摘要 本发明涉及一种蓝宝石指纹识别面板的制备方法,具体步骤包括晶体生长、晶体掏棒、晶体切割、激光取片、研磨、倒角、退火、双面抛光、镀膜、涂油墨和热烘等工序;本发明的蓝宝石指纹识别面板的制备方法成片质量高,废品率低,生产效率高。
申请公布号 CN105128157A 申请公布日期 2015.12.09
申请号 CN201510339660.7 申请日期 2015.06.18
申请人 江苏苏创光学器材有限公司 发明人 苏凤坚;刘俊;郝正平
分类号 B28D5/00(2006.01)I;B28D5/04(2006.01)I;B24B1/00(2006.01)I;B24B37/04(2012.01)I;B24B37/08(2012.01)I;C09K3/14(2006.01)I;C30B29/20(2006.01)I;C30B15/20(2006.01)I;C30B33/02(2006.01)I;B23K26/38(2014.01)I;G06K9/00(2006.01)I 主分类号 B28D5/00(2006.01)I
代理机构 南京同泽专利事务所(特殊普通合伙) 32245 代理人 石敏
主权项 一种蓝宝石指纹识别面板的制备方法,其特征在于,包括以下具体步骤:步骤一、晶体生长;在晶体生长炉的坩埚内装入纯净的Al<sub>2</sub>O<sub>3 </sub>原料,所述坩埚上方设有可旋转和升降的提拉杆,提拉杆的下端夹设有C晶向的籽晶;将晶体生长炉内抽真空并通入保护气体,升温至2100~2200℃,使得Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>熔融,控制熔体的液面温度为2055℃,将籽晶置于Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>熔体的上表面使其与熔体接触,持续0.5~1h;待籽晶与熔体充分沾润后,提拉并转动籽晶,从而实现缩颈—扩肩—等径生长;缩颈阶段,控制熔体的液面温度为2050℃,以3~5mm/h的速度向上提拉籽晶,以45~48r/min的速度转动籽晶;扩肩阶段,控制熔体的液面温度为2048℃,以8~10mm/h的速度向上提拉籽晶,以50~55r/min的速度转动籽晶;等径阶段,控制熔体的液面温度为2052℃,以5~8mm/h的速度向上提拉籽晶,以48~50r/min的速度转动籽晶;待晶体生长结束后,将晶体生长炉内的温度降至1580~1680℃,再对晶体进行退火处理,控制温度以80~100℃/h的速度缓慢降温并持续18~22h,从而得到晶体;步骤二、晶体掏棒;对晶体进行定向,然后使用掏棒机进行掏棒,从而得到C向晶棒;步骤三、晶体切割;采用金刚砂线切割设备对晶棒进行切割,从而得到晶片;步骤四、激光取片;将抛光后的晶片放入激光切割机中并通入保护气体,将晶片按需求切割成相应大小;步骤五、研磨;采用研磨机对晶片进行研磨;研磨时,加入研磨液,研磨盘对晶片加压至0.02~0.022Mpa,研磨盘的转速为1000~1200rpm/min;研磨完成后用无水乙醇清洗;所述研磨液组分包括:0.5~2%的颗粒大小为10~20μm的立方氮化硼粉末,14~16%的烷基酚聚氧乙烯醚,4~6%的甘油,9~11%的聚丙二醇400,其余为去离子水;步骤六、倒角;采用数控机床的金刚石砂轮对晶片的边角进行倒角处理,;步骤七、退火;将晶片放入退火炉内,以180~220℃/h的速度进行升温将温度升至1600℃,升温时在300℃、800℃、1600℃分别保温2~6h,然后以200℃的温度进行降温,降温时在1000℃、500℃分别保温2~3h冷却至室温取出;步骤八、双面化学抛光;先用无水乙醇对晶片进行清洗,然后将清洗后的晶片放入双面抛光机中固定;抛光时,加入抛光液,抛光盘对晶片加压至0.12~0.15 Mpa,抛光盘的转速为1000~1500rpm/min、将抛光好的晶片用无水乙醇清洗后,在室温下进行自然冷却;所述抛光液组分包括:0.5~2%的颗粒大小为1~6μm的立方氮化硼粉末,14~16%的烷基酚聚氧乙烯醚,4~6%的甘油,9~11%的聚丙二醇400,0.5~2%的纳米二氧化硅,使得抛光液PH值为11.0~13.0的碱性溶液,其余为去离子水;抛光过程中不断补充碱性溶液以保持抛光液的PH值;步骤九、镀超硬膜;采用磁控溅射镀膜机,将氮气电离成氮离子,再用氮离子轰击硅靶材,在晶片表面形成氮化硅镀层;步骤十、涂油墨;将镀膜后的晶片盖上镂空板,在晶片的边缘处刷涂油墨且重复刷涂三层;步骤十一、热烘;将涂完油墨的晶片放入热烘机中热烘2~3h后,空冷至室温。
地址 225775 江苏省泰州市兴化市经济开发区高兴东公路南侧科技创业中心1号厂房