有机半导体膜的形成方法

摘要

本发明提供一种可稳定地形成具有良好的结晶性且迁移率高的有机半导体膜的有机半导体膜的形成方法。本发明在有机半导体膜的形成中，将盖构件覆盖至基板表面的有机半导体膜的形成位置的上部，上述盖构件具有在一方向上与基板隔离并形成凸的空间的限制面，以满足规定的条件的方式向盖构件与基板之间填充溶液，并使所述溶液干燥，由此形成有机半导体膜。由此，使用溶解有有机半导体材料的溶液，来形成具有良好的结晶性的有机半导体膜。

主权项

一种有机半导体膜的形成方法，其特征在于：在使用溶解有有机半导体材料的溶液来形成包含所述有机半导体材料的有机半导体膜时，使用盖构件，向所述盖构件与基板之间的空间填充所述溶液，并使填充的溶液干燥，由此形成所述有机半导体膜，其中所述盖构件配置于形成所述有机半导体膜的基板上且与所述基板之间形成空间，所述盖构件具有一限制面，所述限制面形成有离所述基板最远的最上部以及从所述最上部朝向所述基板而设置于所述最上部的y方向的两侧的下降部，且，所述限制面所形成的空间的与所述y方向正交的x方向为开放的形状，在将所述限制面朝向所述基板而使y方向的至少一端部的整个区域与所述基板接触的状态下配置所述盖构件，而且，在将所述盖构件的整个区域与所述基板接触的y方向的端部作为基端时，所述限制面上的与所述基端为相反侧的y方向的端部的溶液的至少一部分位于从所述基端观察时不超过所述限制面的最上部的部位，且，连结所述基端及所述限制面上的溶液在y方向上离基端最远的位置的隔开位置的最短的线与连结从所述隔开位置向所述基板下垂的垂线和所述基板交叉的点及所述基端的最短的线所成的角度即视角为50°以下，进而，以所述x方向的长度除以所述y方向的长度所得的x/y比为0.2以上的方式，向所述盖构件与所述基板之间的空间的基端侧填充所述溶液。