半导体装置

摘要

明的一个方式的目的是提供尽量抑制光劣化且其电特性稳定的电晶体及包括该电晶体的半导体装置。着眼于用来形成电晶体的膜可反射光而产生多重干涉的现象，藉由将该进行反射的膜的在光学上的厚度大致设定为λ0/4的奇数倍或偶数倍，可以不损伤该膜的对电晶体的功能而提高氧化物半导体所吸收的波长区域的光的反射率，从而可以减小氧化物半导体所吸收的光量，并提高光劣化的减轻效果。

主权项

一种半导体装置，包括：氧化物半导体层；第一层；在该第一层上且与该第一层接触的第二层；以及在该第二层上且与该第二层接触的第三层，其中，该氧化物半导体层、该第一层、该第二层以及该第三层彼此重叠，其中，该第一层、该第二层以及该第三层都具有透射波长λ0的光的特性，其中，该第二层的在光学上的厚度大致为λ0/4的奇数倍，以及其中，在该第一层、该第二层及该第三层中，该第二层的折射率最高或最低。