| 发明名称 | 一种Zn<sub>x</sub>Ag<sub>（1-x）</sub>N<sub>y</sub>O<sub>（1-y）</sub>纳米阵列/Ag肖特基结及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种Zn<sub>x</sub>Ag<sub>(1-x)</sub>N<sub>y</sub>O<sub>(1-y)</sub>纳米阵列/Ag肖特基结及其制备方法,肖特基结包括半导体部分和金属部分，所述的半导体部分为Zn<sub>x</sub>Ag<sub>(1-x)</sub>N<sub>y</sub>O<sub>(1-y)</sub>纳米阵列，所述的金属部分为Ag；按摩尔比计，Zn<sub>x</sub>Ag<sub>(1-x)</sub>N<sub>y</sub>O<sub>(1-y)</sub>纳米阵列中x＝0.80～0.99，y＝0.01～0.15。对Zn<sub>x</sub>Ag<sub>(1-x)</sub>N<sub>y</sub>O<sub>(1-y)</sub>纳米阵列进行一系列组合方案处理：先在氧气氛围中热处理，再用双氧水超声清洗，再进行紫外臭氧联合处理，最后再在氧气氛围中热处理。经过上述处理后在利用磁控溅射在Zn<sub>x</sub>Ag<sub>(1-x)</sub>N<sub>y</sub>O<sub>(1-y)</sub>纳米阵列顶部镀上Ag，形成Zn<sub>x</sub>Ag<sub>(1-x)</sub>N<sub>y</sub>O<sub>(1-y)</sub>纳米阵列/Ag肖特基结。对比测试表明，这一系列多步骤处理方案可以有效降低Zn<sub>x</sub>Ag<sub>(1-x)</sub>N<sub>y</sub>O<sub>(1-y)</sub>纳米阵列/Ag肖特基结的反向漏电流和材料中的深能级杂质，提高Zn<sub>x</sub>Ag<sub>(1-x)</sub>N<sub>y</sub>O<sub>(1-y)</sub>纳米阵列/Ag肖特基结的接触特性。 | ||
| 申请公布号 | CN105140274A | 申请公布日期 | 2015.12.09 |
| 申请号 | CN201510496358.2 | 申请日期 | 2015.08.13 |
| 申请人 | 长安大学 | 发明人 | 段理;于晓晨;樊继斌;王佩;韦丰;张亚辉 |
| 分类号 | H01L29/47(2006.01)I;B82B1/00(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/47(2006.01)I |
| 代理机构 | 西安恒泰知识产权代理事务所 61216 | 代理人 | 李郑建;孙雅静 |
| 主权项 | 一种Zn<sub>x</sub>Ag<sub>(1‑x)</sub>N<sub>y</sub>O<sub>(1‑y)</sub>纳米阵列/Ag肖特基结，肖特基结包括半导体部分和金属部分，其特征在于，所述的半导体部分为Zn<sub>x</sub>Ag<sub>(1‑x)</sub>N<sub>y</sub>O<sub>(1‑y)</sub>纳米阵列，所述的金属部分为Ag；按摩尔比计，Zn<sub>x</sub>Ag<sub>(1‑x)</sub>N<sub>y</sub>O<sub>(1‑y)</sub>纳米阵列中x＝0.80～0.99，y＝0.01～0.15。 | ||
| 地址 | 710064 陕西省西安市雁塔区二环南路中段126号 | ||