发明名称 锡酸锑纳米线复合电子封装材料
摘要 本发明公开了一种锡酸锑纳米线复合电子封装材料,属于结构材料技术领域。本发明锡酸锑纳米线复合电子封装材料的质量百分比组成如下:锡酸锑纳米线65-80%、聚乙烯醇3-5%、聚苯乙烯3-5%、丙烯酸-丙烯酸酯-磺酸盐共聚物0.05-0.5%、异丙醇铝3-6%、聚偏氟乙烯7-14%、水3-5%,锡酸锑纳米线的直径为50nm、长度为20-30μm。本发明提供的锡酸锑纳米线复合电子封装材料具有耐老化及耐腐蚀性能优良、易加工、绝缘性好、热膨胀系数小、导热系数高及制备温度低等特点,在电子封装领域具有良好的应用前景。
申请公布号 CN105131480A 申请公布日期 2015.12.09
申请号 CN201510560812.6 申请日期 2015.09.06
申请人 安徽工业大学 发明人 裴立宅;林楠;吴胜华;蔡征宇
分类号 C08L27/16(2006.01)I;C08L29/04(2006.01)I;C08L33/02(2006.01)I;C08K3/24(2006.01)I;C08K5/098(2006.01)I 主分类号 C08L27/16(2006.01)I
代理机构 南京知识律师事务所 32207 代理人 蒋海军
主权项 一种锡酸锑纳米线复合电子封装材料,其特征在于:以质量百分比计,该电子封装材料的配方如下:<img file="FDA0000795976370000011.GIF" wi="1266" he="861" />
地址 243002 安徽省马鞍山市花山区湖东中路59号