| 发明名称 | 具备HEMT即高电子迁移率晶体管的半导体装置 | ||
| 摘要 | 半导体装置具有常断型的HEMT，该常断型的HEMT具备：第1半导体层(4)；第2半导体层(3)，与所述第1半导体层形成异质结，生成第1二维电子气层(6a)；栅槽(7)，形成于所述第1半导体层；绝缘膜(8)，配置于所述栅槽的壁面；以及栅极电极(9)，配置在所述绝缘膜上。所述栅槽的底面侧的宽度窄于开口部侧的宽度。所述栅极电极沿所述栅槽的侧面配置。在对所述栅极电极施加栅极电压时，在所述第2半导体层中，第2二维电子气层(6b)与所述第1二维电子气层的一部分重叠地被生成。 | ||
| 申请公布号 | CN105144356A | 申请公布日期 | 2015.12.09 |
| 申请号 | CN201480020350.2 | 申请日期 | 2014.04.07 |
| 申请人 | 株式会社电装 | 发明人 | 小山和博 |
| 分类号 | H01L21/338(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/41(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/812(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/338(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 高迪 |
| 主权项 | 一种半导体装置，具有常断型的HEMT即高电子迁移率晶体管，该常断型的HEMT具备：第1半导体层(4)；第2半导体层(3)，与所述第1半导体层形成异质结，生成基于异质结的第1二维电子气层(6a)；栅槽(7)，形成于所述第1半导体层；绝缘膜(8)，配置于所述栅槽的壁面；以及栅极电极(9)，配置在所述绝缘膜上；所述栅槽的底面侧的宽度窄于开口部侧的宽度，所述栅极电极沿所述栅槽的侧面配置，在对所述栅极电极施加了规定阈值以上的栅极电压时，在所述第2半导体层中，基于所述栅极电压的第2二维电子气层(6b)以与所述第1二维电子气层的一部分重叠的状态被生成。 | ||
| 地址 | 日本爱知县 | ||