发明名称 一种有机场效应晶体管及其制备方法
摘要 本发明公开了一种有机场效应晶体管及其制备方法,其结构包括衬底,栅电极,栅极绝缘层,有机半导体层,源电极和漏电极,所述有机半导体层加入有0.1%~1%的紫外敏感胶形成紫外敏感胶-有机半导体材料复合层。本发明解决了可溶性有机半导体材料成膜过程中晶粒大小难于精确控制的问题,达到了原位控制晶粒或多个晶粒聚集而成的岛状结构大小的目的,同时提高了有机场效应晶体管的空气稳定性,得到了高性能的有机场效应晶体管。
申请公布号 CN103594624B 申请公布日期 2015.12.09
申请号 CN201310548762.0 申请日期 2013.11.07
申请人 电子科技大学 发明人 李杰;于军胜;施薇;祁一歌
分类号 H01L51/05(2006.01)I;H01L51/30(2006.01)I;H01L51/40(2006.01)I 主分类号 H01L51/05(2006.01)I
代理机构 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 代理人 徐丰;杨保刚
主权项 一种有机场效应晶体管,其结构包括衬底、栅电极、栅极绝缘层、有机半导体层,源电极和漏电极,其特征在于,所述有机半导体层加入有重量百分比0.1%~1%的紫外敏感胶形成紫外敏感胶‑有机半导体材料复合层,所述紫外敏感胶重量百分比组成为:<img file="FDA0000775189900000011.GIF" wi="1099" he="476" />
地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号