发明名称 具有高效纳米绒面结构的多晶硅的制备方法及其应用
摘要 本发明公开了一种具有高效纳米绒面结构的多晶硅的制备方法及其应用。制备方法包括以下步骤:(1)反应离子刻蚀制绒:将去损伤后的多晶硅片置于反应离子刻蚀机中,刻蚀形成具有纳米多孔结构的多晶黑硅;(2)硅片表面腐蚀:将步骤(1)所得的具有纳米多孔结构的多晶黑硅浸入四甲基氢氧化铵和制绒添加剂的混合溶液中进行表面腐蚀,得到具有高效纳米绒面结构的多晶硅。本发明消除了纳米复合中心,增加了多晶硅表面绒面的比表面积,降低了多晶硅制绒之后的反射率,提高了多晶硅太阳能电池的光电性能。且方法工艺简单,重现性好,可控程度高,符合环境要求,适合工业生产。
申请公布号 CN105133038A 申请公布日期 2015.12.09
申请号 CN201510538654.4 申请日期 2015.08.28
申请人 中国电子科技集团公司第四十八研究所 发明人 彭卓寅;刘良玉;杨晓生
分类号 C30B33/10(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I 主分类号 C30B33/10(2006.01)I
代理机构 湖南兆弘专利事务所 43008 代理人 周长清;黄丽
主权项 一种具有高效纳米绒面结构的多晶硅的制备方法,包括以下步骤:(1)反应离子刻蚀制绒:将去损伤后的多晶硅片置于反应离子刻蚀机中,刻蚀形成具有纳米多孔结构的多晶黑硅;(2)硅片表面腐蚀:将步骤(1)所得的具有纳米多孔结构的多晶黑硅浸入四甲基氢氧化铵和制绒添加剂的混合溶液中进行表面腐蚀,得到具有高效纳米绒面结构的多晶硅。
地址 410111 湖南省长沙市天心区新开铺路1025号
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