| 摘要 |
일부 실시예는 RRAM 어레이에 대한 데이터를 저장 및 복구하는 방법을 포함한다. 어레이는 복수의 메모리 비트로 다시 분할되고, 각각의 메모리 비트는 적어도 두 개의 메모리 셀을 포함한다. 메모리 비트는 메모리 비트 내의 모든 메모리 셀의 저항성 상태를 동시에 변경함에 의해 프로그램된다. 메모리 비트는 메모리 비트 내의 모든 메모리 셀을 통해 합산된 전류를 결정함에 의해 리드된다. 일부 실시예는 복수의 메모리 셀을 가진 RRAM을 포함한다. 각각의 메모리 셀은 비트라인/워드라인 조합을 통해 고유하게 어드레스된다. 메모리 비트는 함께 결합된 복수의 메모리 셀을 포함하고, 각각의 메모리 비트 내의 결합된 메모리 셀은 서로 동일한 저항성 상태에 있다. |
