接触孔的形成方法

摘要

一种接触孔的形成方法，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上依次形成介质层和第一缓冲层；在第一缓冲层上形成多个线型的第一硬掩模层图案；在第一硬掩模层图案和第一缓冲层上形成第二缓冲层；在第二缓冲层上形成多个线型的第二硬掩模层图案；第二硬掩模层图案和第一硬掩模层图案未重叠的区域形成多个接触孔图案；以第二硬掩模层图案和第一硬掩模层图案为掩模，刻蚀第二缓冲层和第一缓冲层至露出介质层，形成第一缓冲层图案；去除第二硬掩模层图案、第二缓冲层和第一硬掩模层图案；以第一缓冲层图案为掩模，刻蚀介质层至露出半导体衬底，形成包括多个接触孔的介质层图案；去除第一缓冲层图案。本发明可以形成较小尺寸的接触孔。

主权项

一种接触孔的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成介质层和第一缓冲层；在所述第一缓冲层上形成多个线型的第一硬掩模层图案；在所述第一硬掩模层图案和所述第一缓冲层上形成第二缓冲层，所述第一缓冲层的材料与所述第二缓冲层的材料相同，所述第一缓冲层与所述介质层的刻蚀选择比小于或等于2；在所述第二缓冲层上形成多个线型的第二硬掩模层图案；所述第二硬掩模层图案和所述第一硬掩模层图案未重叠的区域形成多个接触孔图案，所述第一硬掩模层图案的材料与所述第二硬掩模层图案的材料相同，所述第一缓冲层与所述第一硬掩模层图案的刻蚀选择比大于或等于10；以所述第二硬掩模层图案和第一硬掩模层图案为掩模，刻蚀所述第二缓冲层和第一缓冲层至露出介质层，形成第一缓冲层图案；去除所述第二硬掩模层图案、第二缓冲层和第一硬掩模层图案；以所述第一缓冲层图案为掩模，刻蚀所述介质层至露出半导体衬底，形成包括多个接触孔的介质层图案；去除所述第一缓冲层图案。