一种减少半导体激光器封装应力的芯片结构及减少封装应力的方法

摘要

本发明涉及一种减少半导体激光器封装应力的芯片结构及减少封装应力的方法。所述芯片结构是在具有电流注入区域和发光增益区域的增益波导型半导体激光器结构中刻蚀出沿激光振荡方向延伸的2个沟槽，电流注入区域位于2个沟槽中间，通过适当加大沟槽的开口宽度及调控开口宽度和深度比，使后续封装时的焊料充分进入和浸润到发光增益区域两侧的沟槽内并减少了发光增益区域两侧的焊料，残余应力明显降低，激射光波长单一且稳定；同时改善导电导热能力。本发明方法不增加工序及制造成本，利于工业应用。

主权项

一种减少半导体激光器封装应力的芯片结构，包括半导体基片，该芯片结构是在上述半导体基片上通过金属有机气相外延法形成的具有电流注入区域和发光增益区域的增益波导型半导体激光器结构；具有沿激光振荡方向延伸的2个沟槽，上述发光增益区域设置于2个沟槽中间位置；其特征在于，通过适当加大沟槽的开口宽度及调控开口宽度和深度比，使后续封装时的焊料充分进入和浸润到沟槽内并减少了发光增益区域两侧的焊料；所述2个沟槽开口的宽度之和占芯片宽度的总比例控制在5‑30％，所述沟槽的开口宽度和深度的比例在2‑50。