一种膜电容制造技术及设备

摘要

本发明《一种膜电容制造技术及设备》是将铝箔表面采用真空等离子体化学气相沉积类金刚石薄膜与非晶态铝膜技术，制造膜电容的技术与设备。其技术领域属于电子元件制造。由于非晶态铝膜具有较大的表面积，可以储存更多电量，而类金刚石薄膜绝缘性能优异、耐热冲击性和韧性良好，因此，利用这两种膜材料复合制造的膜电容，具有耐高电压、耐高温、体积小、重量轻、电容量大的特点，适用于各种高档微电子产品制造行业。

主权项

金刚石薄膜与非晶态铝膜这两种膜材料复合制造的膜电容独有的，与现有技术不同的技术特征为：超薄电容极板(12)由上下表面均沉积一层厚度约0.1‑1微米的非晶态铝膜(14)，及一层厚度约0.1‑0.5微米的类金刚石薄膜(13)的电容级铝箔(10)构成。