发明名称 一种隔离驱动电路
摘要 本实用新型公开了一种隔离驱动电路,包括二极管D1、二极管D2、电阻R1、电容C1、MOS管T1和三极管T2,二极管D1正极连接控制信号Vi,二极管D2正极连接三极管T4基极,三极管T4集电极分别连接电阻R1、电容C3和MOS管T1的G极,电阻R1另一端分别连接二极管D2负极、电容C3另一端、电阻R2、三极管T2集电极、电容C1和电源VCC,电阻R2另一端分别连接三极管T2基极、三极管T3基极和MOS管T1的D极,MOS管T1的S极分别连接三极管T4发射极、三极管T3集电极和电容C2。本实用新型隔离驱动电路基于IGBT驱动,电路结构简单,成本低,体积小,非常适合使用于低成本的家用电器控制器中。
申请公布号 CN204836134U 申请公布日期 2015.12.02
申请号 CN201520640544.4 申请日期 2015.08.24
申请人 泉州泉港森捷电子技术有限公司 发明人 王桂林;吴鑫林;陈晓军
分类号 H03K19/14(2006.01)I 主分类号 H03K19/14(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种隔离驱动电路,包括二极管D1、二极管D2、电阻R1、电容C1、MOS管T1和三极管T2,其特征在于,所述二极管D1正极连接控制信号Vi,二极管D2正极连接三极管T4基极,三极管T4集电极分别连接电阻R1、电容C3和MOS管T1的G极,电阻R1另一端分别连接二极管D2负极、电容C3另一端、电阻R2、三极管T2集电极、电容C1和电源VCC,电阻R2另一端分别连接三极管T2基极、三极管T3基极和MOS管T1的D极,MOS管T1的S极分别连接三极管T4发射极、三极管T3集电极和电容C2,电容C2另一端连接电容C1另一端并接地,所述三极管T2发射极分别连接三极管T3发射极和电阻R3,电阻R3另一端连接IGBT管的G极,IGBT管的E极接地,IGBT管的C极通过电阻R4连接输出端Vo。
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