| 发明名称 | 成像电路 | ||
| 摘要 | 本公开涉及成像电路，其包括：信号处理器片芯；以及堆叠在所述信号处理器片芯上的图像传感器片芯，其中所述图像传感器片芯包括：衬底层，在所述衬底层中形成的深沟槽隔离结构，以及通过所述深沟槽隔离结构形成的穿过氧化物的通孔，并且所述穿过氧化物的通孔至少部分地延伸到所述信号处理器片芯中。根据本公开，提供了具有改善的划片线区域的成像电路和成像系统。 | ||
| 申请公布号 | CN204834624U | 申请公布日期 | 2015.12.02 |
| 申请号 | CN201520279016.0 | 申请日期 | 2015.04.30 |
| 申请人 | 半导体元件工业有限责任公司 | 发明人 | S·伯萨克;M·塞弗里格;M·J·穆尼 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 刘倜 |
| 主权项 | 成像电路，其特征在于，包括：信号处理器片芯；以及堆叠在所述信号处理器片芯上的图像传感器片芯，其中所述图像传感器片芯包括：衬底层；在所述衬底层中形成的深沟槽隔离结构；以及通过所述深沟槽隔离结构形成的穿过氧化物的通孔，并且所述穿过氧化物的通孔至少部分地延伸到所述信号处理器片芯中。 | ||
| 地址 | 美国亚利桑那 | ||