发明名称 一种石墨舟的饱和方法
摘要 本发明涉及一种石墨舟的饱和方法,属于太阳电池技术领域,包括假片饱和阶段和空舟饱和阶段,通过结合两种方式进行饱和,保证了电池片的Rsh,又降低了片内、片间极差,有效地提高饱和后石墨舟的使用效果,降低石墨舟内硅片间膜厚的极差,改善石墨舟的稳定性,从而降低硅片表面色差。
申请公布号 CN105112888A 申请公布日期 2015.12.02
申请号 CN201510533224.3 申请日期 2015.08.27
申请人 常州天合光能有限公司;湖北天合光能有限公司 发明人 郭文祥
分类号 C23C16/458(2006.01)I;C23C16/513(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I 主分类号 C23C16/458(2006.01)I
代理机构 浙江永鼎律师事务所 33233 代理人 郭小丽
主权项 一种石墨舟的饱和方法,其特征在于,包括如下步骤:S1:假片饱和阶段:S1‑1:石墨假片的预处理:将石墨假片插入片盒,然后将片盒放入HF酸槽清洗2h,HF的浓度为15%~25%,之后取出放入水槽清洗2h,取出后放入烘干箱,以120~150℃的温度烘干2h;S1‑2:石墨舟的预处理:将石墨舟放入HF酸洗槽清洗6~8h,HF的浓度为20%~25%,之后取出放入水槽清洗6~8h,取出后放入烘干箱,以120~150℃的温度烘干6~8h ;S1‑3:假片饱和:将石墨假片插入石墨舟,确保石墨片不会掉落,之后放入PECVD机台进行假片饱和处理;进入炉管,加热至设定温度;之后,射频预轰击,使各温区温度更稳定;随后,沉积氮化硅薄膜;沉积完后,降温,出舟,取出石墨假片;S2:空舟饱和阶段:将经过步骤S1处理后的石墨舟放入PECVD机台进行空舟饱和处理,进入炉管,加热至设定温度,之后,射频预轰击,使各温区温度更稳定;随后,沉积氮化硅薄膜;沉积完后,降温,出舟。
地址 213031 江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号