一种Y型结构的半浮栅器件的制造方法

摘要

一种Y型结构的半浮栅器件的制造方法，包括：提供具有第一掺杂类型的半导体衬底，并在半导体衬底内形成包含具有第二掺杂类型的源区和漏区的有源区；在半导体衬底内且介于源区与漏区之间定义Y型凹槽开口区域；在Y型凹槽的表面形成栅介质层，淀积具有第一掺杂类型的浮栅，刻蚀所述Y型凹槽内的栅介质层和浮栅；在浮栅的一侧形成一个缺口，缺口的底部高于所述源区和漏区的底部并不高于栅介质层的顶部，使得源区与浮栅被栅介质层隔离；在源区、浮栅与漏区形成绝缘介质层，并在Y型凹槽靠近漏区一侧顶部的绝缘介质层和栅介质层的顶部之间定义并形成的一个浮栅开口区域，通过浮栅开口区域所述浮栅在所述Y型凹槽的顶部与漏区接触形成PN结接触。

主权项

一种Y型结构的半浮栅器件的制造方法，其特征在于包括：第一步骤：提供一个具有第一掺杂类型的半导体衬底，并在所述半导体衬底内形成包含具有第二掺杂类型的源区和漏区的有源区；第二步骤：在所述半导体衬底内且介于所述源区与漏区之间定义Y型凹槽开口区域，并形成Y型凹槽；第三步骤：在所述Y型凹槽的表面形成栅介质层，并淀积具有第一掺杂类型的浮栅，随后刻蚀所述Y型凹槽内的栅介质层和浮栅以形成凹进部；第四步骤：利用多晶硅填充凹进部，并且利用图案化光刻胶在凹进部内在所述浮栅的一侧形成一个缺口，所述缺口的底部高于所述源区和漏区的底部并不高于所述栅介质层的顶部，使得所述源区与浮栅被栅介质层隔离；第五步骤：去除图案化光刻胶、第一层绝缘薄膜和第二层绝缘薄膜，在源区和漏区内形成的源区接触和漏区接触，并且在所述源区、所述浮栅与所述漏区形成绝缘介质层，并在所述Y型凹槽靠近所述漏区一侧顶部的绝缘介质层和栅介质层的顶部之间定义并形成的一个浮栅开口区域，通过所述浮栅开口区域所述浮栅在所述Y型凹槽的顶部与所述漏区接触形成PN结接触。