| 摘要 |
本发明提供一种有机-无机杂化电荷注入层的制备方法，制备步骤如下：将铜酞菁-3,4',4'',4'''-四磺酸四钠盐、无机盐化合物分别溶于溶剂中，分别得到铜酞菁-3,4',4'',4'''-四磺酸四钠盐溶液和无机盐溶液；将铜酞菁-3,4',4'',4'''-四磺酸四钠盐溶液和无机盐溶液以体积比为1:（1-9）混合，常温下搅拌至融合，得到混合溶液；将待涂布的ITO基片放置于紫外臭氧机中臭氧处理10min，然后用混合溶液均匀涂布在ITO基片表面，在ITO基片表面形成一层前驱体薄膜；处理20min后，在ITO基片上即形成有机-无机杂化电荷注入层。本发明提供的制备方法简单、环保、高效。 |
| 主权项 |
一种有机‑无机杂化电荷注入层的制备方法，其特征在于制备步骤如下：第一步：将铜酞菁‑3,4',4'',4'''‑四磺酸四钠盐、无机盐化合物分别溶于溶剂中，在大气环境中搅拌10h，分别得到铜酞菁‑3,4',4'',4'''‑四磺酸四钠盐溶液和无机盐溶液，其中铜酞菁‑3,4',4'',4'''‑四磺酸四钠盐溶液和无机盐溶液的浓度相同，均为1‑9mg/mL；第二步：将第一步得到的铜酞菁‑3,4',4'',4'''‑四磺酸四钠盐溶液和无机盐溶液混合，常温下搅拌至融合，得到混合溶液，其中铜酞菁‑3,4',4'',4'''‑四磺酸四钠盐溶液和无机盐溶液的体积比为1:（1‑9）；第三步：将待涂布的ITO基片放置于紫外臭氧机中臭氧处理10min，然后用第二步得到的混合溶液均匀涂布在ITO基片表面，在ITO基片表面形成一层前驱体薄膜；第四步：将第三步中得到的载有前驱体薄膜的ITO基片处理20min后，在ITO基片上即形成有机‑无机杂化电荷注入层。 |
