发明名称 |
声波器件 |
摘要 |
本发明提供了声波器件。声波器件包括:基板;下电极,其位于基板上;压电膜,其位于下电极上,并且由c轴方向的晶格常数与a轴方向的晶格常数之比小于1.6的氮化铝制成;以及上电极,其位于压电膜上,并隔着压电膜面对下电极。 |
申请公布号 |
CN102957397B |
申请公布日期 |
2015.12.02 |
申请号 |
CN201210298819.1 |
申请日期 |
2012.08.21 |
申请人 |
太阳诱电株式会社 |
发明人 |
横山刚 |
分类号 |
H03H9/25(2006.01)I;H03H3/08(2006.01)I |
主分类号 |
H03H9/25(2006.01)I |
代理机构 |
北京三友知识产权代理有限公司 11127 |
代理人 |
李辉;王伶 |
主权项 |
一种声波器件,该声波器件包括:基板;下电极,其位于所述基板上;压电膜,其位于所述下电极上,并且由具有c轴指向所述压电膜的厚度方向的配向性的氮化铝制成,所述压电膜的c轴方向的晶格常数与a轴方向的晶格常数之比小于1.6;以及上电极,其位于所述压电膜上,并且隔着所述压电膜面对所述下电极,其中,所述压电膜由添加了钛、锆和铪中的至少一种的氮化铝制成,并且其中,钛、锆和铪中的所述至少一种布置在所述氮化铝的Al位中。 |
地址 |
日本东京都 |