交叉点记忆体及其制造方法;CROSS-POINT MEMORY AND METHODS FOR FABRICATION OF SAME

摘要

本发明大体上系关于积体电路装置，且特定言之，本发明系关于交叉点记忆体阵列及其制造方法。在一态样中，一种制造交叉点记忆体阵列之方法包括：形成包含一第一活性材料及该第一活性材料上之一第二活性材料之一记忆体胞材料堆叠，其中该第一活性材料及该第二活性材料之一者包括一储存材料且该第一活性材料及该第二活性材料之另一者包括一选择材料。制造交叉点阵列之该方法进一步包括图案化该记忆体胞材料堆叠，其包含：蚀刻穿过该记忆体胞材料堆叠之该第一活性材料及该第二活性材料之至少一者；在蚀刻穿过该第一活性材料及该第二活性材料之该者之后，使保护衬垫形成于该第一活性材料及该第二活性材料之该至少一者之侧壁上；及在使该等保护衬垫形成于该第一活性材料及该第二活性材料之该者之该等侧壁上之后，进一步蚀刻该记忆体胞材料堆叠。