| 发明名称 | 一种半导体器件的制造方法和半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件的制造方法和半导体器件，涉及半导体技术领域。本发明的半导体器件的制造方法，通过采用无机键合部件替代有机材料将半导体衬底与辅助基板键合，可以避免在后续的CVD工艺中出现气体释放的问题，从而避免对CVD膜层的生长造成干扰以及CVD膜层剥离现象的发生，因此，可以提高半导体器件的良率。本发明的半导体器件，相对于现有技术具有更高的良率。 | ||
| 申请公布号 | CN105097852A | 申请公布日期 | 2015.11.25 |
| 申请号 | CN201410190712.4 | 申请日期 | 2014.05.07 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 冯霞;黄河;刘煊杰;张海芳;吴秉寰 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 高伟;赵礼杰 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：步骤S101：提供在第一表面一侧形成有元器件的半导体衬底以及与所述半导体衬底相匹配的辅助基板；步骤S102：在所述辅助基板上形成与所述半导体衬底的非器件区相对应的无机键合部件；步骤S103：通过所述无机键合部件将所述辅助基板与所述半导体衬底的所述第一表面键合。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||