| 发明名称 | 阵列基板及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种阵列基板及其制备方法，属于阵列基板技术领域，其可解决现有的采用双沟道薄膜晶体管的阵列基板制备工艺复杂的问题。本发明的阵列基板，包括多个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：栅极；分别位于栅极下方和上方的、由金属氧化物半导体构成的第一有源区和第二有源区；所述阵列基板还包括：与所述第一有源区同层的第一电极；与所述第二有源区同层的第二电极；所述第一电极和第二电极由经过离子注入的金属氧化物半导体构成。 | ||
| 申请公布号 | CN105097829A | 申请公布日期 | 2015.11.25 |
| 申请号 | CN201510312637.9 | 申请日期 | 2015.06.09 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 胡合合;宁策 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 柴亮;张天舒 |
| 主权项 | 一种阵列基板，包括多个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：栅极；分别位于栅极下方和上方的、由金属氧化物半导体构成的第一有源区和第二有源区；其特征在于，所述阵列基板还包括：与所述第一有源区同层的第一电极；与所述第二有源区同层的第二电极；所述第一电极和第二电极由经过离子注入的金属氧化物半导体构成。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||