发明名称 |
多晶硅薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及其制作方法 |
摘要 |
本发明提供了一种多晶硅薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及其制作方法,属于显示技术领域。其中,多晶硅薄膜晶体管的制作方法中,在形成薄膜晶体管的非晶硅有源层和源电极后,向所述源电极施加电信号,使所述源电极在预设温度下保持预设时间,通过源电极与非晶硅有源层之间的热传导使所述非晶硅有源层在所述源电极产生的热量下晶化为多晶硅有源层。本发明的技术方案利用电信号产生的热量使非晶硅晶化为多晶硅,制备工艺简单,制备成本低廉。 |
申请公布号 |
CN105097547A |
申请公布日期 |
2015.11.25 |
申请号 |
CN201510297435.1 |
申请日期 |
2015.06.01 |
申请人 |
合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
发明人 |
刘天真;王铖铖;段献学 |
分类号 |
H01L21/336(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01)I |
代理机构 |
北京银龙知识产权代理有限公司 11243 |
代理人 |
许静;黄灿 |
主权项 |
一种多晶硅薄膜晶体管的制作方法,其特征在于,在形成薄膜晶体管的非晶硅有源层和源电极后,向所述源电极施加电信号,使所述源电极在预设温度下保持预设时间,通过源电极与非晶硅有源层之间的热传导使所述非晶硅有源层在所述源电极产生的热量下晶化为多晶硅有源层。 |
地址 |
230012 安徽省合肥市新站区铜陵北路2177号 |