保护浅沟槽隔离区的方法

摘要

本发明涉及高压集成电路领域，尤其涉及一种保护浅沟槽隔离区的方法。本发明公开了一种保护浅沟槽隔离区的方法，应用于高压集成电路的工艺，在制备高压器件和低压器件时，在生长高压器件的栅氧化物前，通过在低压器件区上制备氮化物作为STI的保护层，以避免STI在后续的湿法工艺形成凹陷缺陷，进而增大产品的良率，且该工艺步骤改动较少，与现有工艺流程兼容性强，容易实现对器件性能的改善。

主权项

一种保护浅沟槽隔离区的方法，应用于兼容低压器件的高压器件的工艺中，其特征在于，包括以下步骤：提供一具有浅沟槽隔离结构的衬底，且该衬底上设置有高压器件区和低压器件区；制备一氮化物层覆盖所述衬底的上表面；去除位于所述高压器件区中所述氮化物层；继续部分去除位于所述低压器件区中剩余的氮化物层后，使得位于所述低压器件区中浅沟槽隔离结构的侧壁上覆盖有残余的氮化物层，并于所述低压器件区生长栅氧化物前的预清洗工艺中去除所述残余的氮化物层。