半导体结构的制造方法

摘要

一种半导体结构的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成介质层，所述介质层内形成有硬掩模层，所述硬掩模层包含通孔图案；在所述介质层上形成包含沟槽图案的光刻胶层；以所述包含沟槽图案的光刻胶层为掩模对所述介质层进行刻蚀，至暴露出硬掩模层，以形成沟槽；以所述硬掩模层和包含沟槽图案的光刻胶层为掩模对形成有沟槽的介质层进行刻蚀，至暴露出半导体衬底，以形成通孔。本发明半导体结构的制造方法提高了所形成半导体结构中通孔位置的准确性，进而提高了包含本发明半导体结构的器件的稳定性和可靠性。

主权项

一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成介质层，所述介质层内形成有硬掩模层，所述硬掩模层包含通孔图案；在所述介质层上形成包含沟槽图案的光刻胶层，所述沟槽图案的长度等于所述硬掩模层之间的最大长度，所述沟槽图案的宽度等于所述硬掩模层的宽度；其中，所述硬掩模层的材质为氮化钛或氮化钽，所述硬掩模层的厚度在150埃～300埃范围内；以所述包含沟槽图案的光刻胶层为掩模对所述介质层进行干法刻蚀，至暴露出硬掩模层，以形成沟槽，形成沟槽的刻蚀气体为CF₄、CHF₃或C₄F₈，刻蚀气体的流量在10sccm～200sccm范围内，刻蚀温度在30摄氏度～60摄氏度范围内，压强在20毫托～150毫托范围内；以所述硬掩模层和包含沟槽图案的光刻胶层为掩模对形成有沟槽的介质层进行干法刻蚀，至暴露出半导体衬底，以形成通孔，形成通孔的刻蚀气体为C₄F₈、Ar和N₂的混合气体，其中刻蚀气体C₄F₈的流量在10sccm～50sccm范围内，刻蚀温度在30摄氏度～60摄氏度范围内，压强在20毫托～150毫托范围内。