发明名称 |
薄膜晶体管及其制造方法和包括薄膜晶体管的显示装置 |
摘要 |
一种薄膜晶体管,包括:基板;形成在所述基板上的第一栅极电极;形成在所述基板上并包括第一氧化物半导体层和第一势垒层的第一有源层;形成在所述第一有源层上并包括第二氧化物半导体层和中间势垒层的第二有源层;形成在所述第二有源层上的栅极绝缘层;形成在所述栅极绝缘层上并与所述第一栅极电极电连接的第二栅极电极;形成在所述第二栅极电极、所述第一有源层和所述第二有源层上的层间绝缘膜;以及与所述第一有源层和所述第二有源层电连接的源极电极和漏极电极。 |
申请公布号 |
CN105103299A |
申请公布日期 |
2015.11.25 |
申请号 |
CN201480004282.0 |
申请日期 |
2014.01.28 |
申请人 |
乐金显示有限公司 |
发明人 |
智光焕;金大焕;裵俊贤 |
分类号 |
H01L29/786(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/786(2006.01)I |
代理机构 |
北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 |
代理人 |
徐金国 |
主权项 |
一种薄膜晶体管,包括:第一栅极电极;设置于所述第一栅极电极上的第一栅极绝缘层;设置于所述第一栅极绝缘层上的第一氧化物半导体层和第二氧化物半导体层;用于分离所述第一氧化物半导体层和所述第二氧化物半导体层的中间势垒层;设置于所述第二氧化物半导体层上的第二栅极绝缘层;设置于所述第二栅极绝缘层上的第二栅极电极,所述第二栅极电极与所述第一栅极电极电连接;与所述第一氧化物半导体层和所述第二氧化物半导体层电连接的源极电极;和与所述第一氧化物半导体层和所述第二氧化物半导体层电连接的漏极电极。 |
地址 |
韩国首尔 |