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<p>일부 실시예에서, 집적 회로용 마스킹 패턴을 형성하는 방법이 개시된다. 일 실시예에서, 제1 패턴을 규정하는 맨드릴(130)이 타겟층(110) 위의 제1 마스킹 층에 형성된다. 제2 마스킹 층(140)이 퇴적되어 제1 패턴의 공간을 적어도 부분적으로 채운다. 맨드릴(130)과 제2 마스킹 층(140) 사이에 희생 구조체(150)가 형성된다. 제2 마스킹 층(140)을 퇴적하고 희생 구조체(150)를 형성한 후, 희생 구조체(150)가 제거되어 맨드릴(130)과 제2 마스킹 층(140) 사이에 간격을 규정함으로써, 제2 패턴이 규정된다. 제2 패턴은 맨드릴(130)의 적어도 부분들과 맨드릴(130)과 교호하는 중간 마스크 피처를 포함한다. 제2 패턴은 타겟층(110)으로 전사될 수 있다. 일부 실시예에서, 본 방법은 높은 밀도와 작은 피치를 갖는 피처의 형성을 가능하게 하면서 동시에 다양한 형상과 크기를 갖는 피처의 형성도 가능하게 한다.</p> |
