发明名称 半导体器件芯片级封装结构
摘要 本发明公开了一种半导体器件芯片级封装结构,所述封装结构包括半导体芯片,所述半导体芯片上设置有焊盘和钝化层,所述钝化层设置于半导体芯片上的焊盘以外的上表面,在焊盘和钝化层上依次设置有保护层、种子层和金属再配线层,所述金属再配线层表面开设有凹槽,所述金属再配线层上表面还设置有焊料凸点,所述焊料凸点位于凹槽以外的金属再配线层上表面上。本发明的半导体器件芯片级封装结构解决了再配线厚度大于12um时引发的半导体芯片翘曲的问题,降低了由于半导体芯片翘曲引发的作业难度高及半导体出现断裂的风险。
申请公布号 CN103258805B 申请公布日期 2015.11.25
申请号 CN201310135098.7 申请日期 2013.04.17
申请人 南通富士通微电子股份有限公司 发明人 高国华;丁万春;郭飞;朱桂林
分类号 H01L23/498(2006.01)I 主分类号 H01L23/498(2006.01)I
代理机构 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 代理人 孟阿妮
主权项 一种半导体器件芯片级封装结构,其特征在于,包括半导体芯片,所述半导体芯片上设置有焊盘和钝化层,所述钝化层设置于半导体芯片上的焊盘以外的上表面,在焊盘和钝化层上依次设置有保护层、种子层和金属再配线层,所述金属再配线层表面开设有凹槽,所述金属再配线层上表面还设置有焊料凸点,所述焊料凸点位于凹槽以外的金属再配线层上表面上;所述凹槽的深度不超过金属再配线层厚度的一半。
地址 226006 江苏省南通市崇川区崇川路288号