半导体装置

摘要

本发明涉及一种半导体装置，其具有沟槽结势垒肖特基二极管(TJBS)，所述沟槽结势垒肖特基二极管具有作为筘位元件的集成PN二极管，所述半导体装置尤其适于作为用在机动车发电机系统中的具有约20V的击穿电压的Z二极管。在此，TJBS由肖特基二极管和PN二极管的组合构成。对于击穿电压，PN二极管的击穿电压(BV_pn)低于肖特基二极管的击穿电压(BV_schottky)。因此，在击穿中，半导体装置可以以高电流运行。

主权项

半导体装置，其具有沟槽结势垒肖特基二极管(TJBS)，所述沟槽结势垒肖特基二极管具有作为箝位元件的集成PN二极管，其中，所述沟槽结势垒肖特基二极管(TJBS)由肖特基二极管和PN二极管的组合构成，其中，所述PN二极管的击穿电压(BV_pn)低于所述肖特基二极管的击穿电压(BV_schottky)，其中，所述半导体装置具有位于n⁺衬底(1)上并且用作负极区的n外延层(2)，并且在二维视图中存在至少两个蚀刻到所述n外延层(2)中的沟道(6)，并且这些沟道(6)以p掺杂的硅或多晶硅填充并且形成PN二极管的正极区，其特征在于，这些沟道(6)从上向下分成由上部区域、中间区域和下部区域组成的三个区域并且以不同掺杂浓度的p掺杂的硅或多晶硅填充，其中，所述上部区域以强掺杂的p⁺硅或p⁺多晶硅(6)填充，所述中间区域以弱掺杂的p硅或p多晶硅(6)填充并且所述下部区域以强掺杂的p⁺硅或p⁺多晶硅(6)填充，其中，所述上部区域、所述中间区域和所述下部区域如此设计，使得所述PN二极管的击穿发生在所述下部区域与所述n外延层(2)之间的PN结处。