一种半导体器件及其制造方法、电子装置

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，所述方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成有包括自下而上层叠的高k介电层、覆盖层和牺牲栅电极层的伪栅极结构；在半导体衬底上形成层间介电层，覆盖伪栅极结构；蚀刻去除伪栅极结构中的牺牲栅电极层，得到栅沟槽；对栅沟槽内的覆盖层实施远端等离子体预处理，以修复前述蚀刻对覆盖层造成的损伤；沉积金属栅极材料层，以完全填充栅沟槽。根据本发明，可以有效提升形成的高k介电层/金属栅晶体管的电性能，例如，可以将NMOS的TDDB指标提高五倍。

主权项

一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有包括自下而上层叠的高k介电层、覆盖层和牺牲栅电极层的伪栅极结构；在所述半导体衬底上形成层间介电层，覆盖所述伪栅极结构；蚀刻去除所述伪栅极结构中的牺牲栅电极层，得到栅沟槽；对所述栅沟槽内的覆盖层实施远端等离子体预处理，以修复前述蚀刻对所述覆盖层造成的损伤；沉积金属栅极材料层，以完全填充所述栅沟槽。