半导体装置

摘要

本发明的课题在于得到一种半导体装置，其能够在降低反向恢复功耗的同时提高耐压并抑制浪涌电压。在N^－型漂移层（1）的上侧设置有P型阳极层（2）。在N^－型漂移层（1）的下侧设置有N⁺型阴极层（3）。在N^－型漂移层（1）与P型阳极层（2）之间设置有第1短寿命层（4）。在N^－型漂移层（1）与N⁺型阴极层（3）之间设置有第2短寿命层（5）。载流子在第1短寿命层（4）及第2短寿命层（5）中的寿命τ2短于在N^－型漂移层（1）中的寿命τ1(τ2＜τ1)。在N⁺型阴极层（3）中的寿命τ3长于在N^－型漂移层（1）中的寿命τ1(τ1＜τ3)。

主权项

一种半导体装置，具备：N型漂移层；P型阳极层，其设置在所述N型漂移层上侧；N型阴极层，其设置在所述N型漂移层下侧；第1短寿命层，其设置在所述N型漂移层与所述P型阳极层之间；第2短寿命层，其设置在所述N型漂移层与所述N型阴极层之间；其特征在于，载流子在所述第1短寿命层及第2短寿命层中的寿命短于在所述N型漂移层中的寿命；在所述N型阴极层中的寿命长于在所述N型漂移层中的寿命。