| 发明名称 | 半导体存储装置 | ||
| 摘要 | 本发明是提供一种半导体存储装置。在该半导体存储装置中，调节器(201)的输出被连接至第一、第二开关(202)、(203)的输入，所述第一开关(202)的输出在第一模式时，与提供存储单元(207)的漏极电压的总线连接，所述第二开关(203)的输出在第二模式时，与提供存储单元(207)的栅极电压的总线连接。此外，与所述第二开关(203)并列设置有第四开关(204)。该第四开关(204)的输出侧与所述第二开关(203)的输出侧连接，并提供第一模式时的存储单元(207)的栅极电压。因此，通过一个调节器来兼用存储单元的漏极电压用调节器、和存储单元的栅极电压用调节器这两个调节器。 | ||
| 申请公布号 | CN102782763B | 申请公布日期 | 2015.11.25 |
| 申请号 | CN201080065188.8 | 申请日期 | 2010.12.21 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 持田礼司;圆山敬史;滨本幸昌 |
| 分类号 | G11C16/06(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 一种半导体存储装置，能够通过电信号来删除和写入存储单元的存储内容，该半导体存储装置具有：所述存储单元；一个调节器；第一及第二开关；和电压施加晶体管，其用于对所述存储单元施加电压，所述调节器的输出与所述第一及第二开关的输入连接，所述第一开关的输出与所述电压施加晶体管的栅极连接，从所述电压施加晶体管的漏极端向所述存储单元的漏极端施加电压，所述第二开关的输出与所述存储单元的栅极连接，以施加电压。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||