| 摘要 |
3D 적층 비-휘발성 메모리 디바이스의 프로그래밍 동작에서, 금지된 NAND 스트링의 채널은 금지된 저장 소자들에서 프로그램 방해를 막기 위한 부스팅 (boosting)의 높은 레벨을 달성하기 위해 게이트-유도 드레인 누설(GIDL)에 의해 사전-충전된다. 프로그램-검증 반복에서, 프로그램 펄스를 적용하기에 앞서, 드레인-측 선택 게이트 트랜지스터는 GIDL를 발생시키기 위해 역바이어스 됨으로써 채널이 1.5 V와 같은 사전-충전 레벨로 부스팅되도록 한다. 계속해서, 프로그램 펄스가 선택된 워드 라인에 인가되고, 패스 전압들이 비선택된 워드 라인들에 인가될 때, 채널이 용량성 커플링으로 인해 사전-충전 레벨로부터 더 높게 부스팅된다. 사전-충전은 비트 라인 말단으로부터 채널을 직접 구동시키는 것에 의존하지 않기 때문에 부분적으로 프로그램되는 NAND 스트링에 대해 매우 효과적이다. |
