发明名称 |
一种信号处理电路和信号处理器 |
摘要 |
本发明适用于集成电路领域,公开了一种信号处理电路和信号处理器,采用工作在匹配状态下的两个NMOS管来实现小信号电压分量的平方运算,并进一步实现方均根值运算,本发明大幅简化了电路结构,减少了元器件,减少了功耗和电路面积,并且提高了可处理的输入信号的幅度范围。 |
申请公布号 |
CN103187942B |
申请公布日期 |
2015.11.25 |
申请号 |
CN201110449661.9 |
申请日期 |
2011.12.28 |
申请人 |
炬芯(珠海)科技有限公司 |
发明人 |
吕连国 |
分类号 |
H03G3/30(2006.01)I |
主分类号 |
H03G3/30(2006.01)I |
代理机构 |
深圳中一专利商标事务所 44237 |
代理人 |
张全文 |
主权项 |
一种信号处理电路,包括:一第一NMOS管,所述第一NMOS管的栅极连接输入信号,所述输入信号包含直流电压分量和小信号电压分量,所述第一NMOS管的源极加一偏置电压,所述第一NMOS管的漏极输出一个与所述输入信号的小信号电压分量的平方成正比的电流信号;一第二NMOS管,所述第二NMOS管的栅极输入一个与所述输入信号的直流电压分量相等的电压,所述第二NMOS管的漏极输入一偏置电流,所述偏置电流在所述第二NMOS管的源极产生一个与所述第一NMOS管的源极所加偏置电压相等的电压,所述第二NMOS管的源极连接一阻抗通路;一第一运算放大器,所述第一运算放大器的正向输入端连接所述第二NMOS管的源极,所述第一运算放大器的输出端与反向输入端连接,所述第一运算放大器的输出端生成所述第一NMOS管的源极所加的偏置电压。 |
地址 |
519085 广东省珠海市唐家湾镇高新区科技四路1号1#厂房一层C区 |