| 发明名称 | 场效应晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本申请公开了一种场效应晶体管及其制造方法。该场效应晶体管包括：衬底；第一应变层，第一应变层设置在衬底上，第一应变层包括底层和顶层；第二应变层，第二应变层包括间隔设置的两个子应变层，两个子应变层设置在底层上，两个子应变层之间的间隙处设置有顶层。根据本申请，能够提高场效应晶体管的载流子迁移率，提高场效应晶体管的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN105097888A | 申请公布日期 | 2015.11.25 |
| 申请号 | CN201410199554.9 | 申请日期 | 2014.05.12 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 赵猛 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 吴贵明;张永明 |
| 主权项 | 一种场效应晶体管，其特征在于，包括：衬底；第一应变层，所述第一应变层设置在所述衬底上，所述第一应变层包括底层和顶层；第二应变层，所述第二应变层包括间隔设置的两个子应变层，两个所述子应变层设置在所述底层上，两个所述子应变层之间的间隙处设置有所述顶层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||