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<p>게이티드 다이오드들 및 섈로우 트렌치 분리(STI) 다이오드들을 포함하는 다이오드들, 제조 방법들 및 관련 회로들은 적어도 하나의 할로 또는 포켓 주입 없이 제공되고, 이에 의해 다이오드의 캐패시턴스를 감소시킨다. 이 방식으로, 다이오드는, 다이오드의 성능 특성들을 여전히 획득하면서 로드 캐패시턴스에 민감한 성능을 가지는 회로들 및 다른 디바이스들에서 사용될 수 있다. 게이티드 다이오드에 대한 이러한 특성들은 빠른 턴-온 시간들 및 높은 컨덕턴스를 포함하여서, 일례로서 정전기 방전(ESD) 보호 회로들에 아주 적합한 게이티드 다이오드들을 형성한다. 다이오드들은 웰 영역을 가지는 반도체 기판 및 그 상의 절연 층을 포함한다. 게이트 전극은 절연 층 상에서 형성된다. 애노드 및 캐소드 영역들은 웰 영역에 제공된다. P-N 접합이 형성된다. 캐패시턴스를 감소시키기 위해서 적어도 하나의 포켓 주입이 다이오드에서 차단된다.</p> |
