发明名称 Mo SINTERED MO PART FOR HEAT SINK PLATE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING SAME
摘要 <p>본 발명에 의하면, 구리를 10 내지 50질량% 함유하는 몰리브덴 합금재를 포함하여 이루어지는 반도체 방열판용 Mo 소결 부품에 있어서, 상기 몰리브덴 합금재의 몰리브덴 결정의 평균 입자 직경이 10 내지 100㎛이며, 단위 면적 500㎛×500㎛당 Mo 결정의 면적비의 편차가 평균값의 ±10% 이내인 것을 특징으로 하는 반도체 방열판용 Mo 소결 부품이다. Mo와 Cu의 존재 비율의 편차가 작으므로 열팽창률 등의 특성이 우수하고, 열팽창률, 강도 등이 우수한 반도체 방열판용 Mo 소결 부품이 얻어진다.</p>
申请公布号 KR101571230(B1) 申请公布日期 2015.11.23
申请号 KR20137025443 申请日期 2012.03.19
申请人 가부시끼가이샤 도시바;도시바 마테리알 가부시키가이샤 发明人 모리오카 츠토무;아오야마 히토시
分类号 C22C1/04;C22C9/00;C22C27/04;H01L23/373 主分类号 C22C1/04
代理机构 代理人
主权项
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