- - - 3-D AND 3-D SCHOTTKY DIODE FOR CROSS-POINT VARIABLE-RESISTANCE MATERIAL MEMORIES PROCESSES OF FORMING SAME AND METHODS OF USING SAME
摘要
<p>가변-저항 물질 메모리(VRMM) 장치는 VRMM에 결합된 에피택셜 반도체 돌기 위에 배치된 컨테이너 도전체를 포함한다. VRMM 장치는 또한 VRMM에 결합된 리세스 내에 도전성 플러그를 포함할 수 있다. VRMM 어레이는 또한 VRMM에 결합된 서라운딩(surrounding) 리세스 내에 도전성 플러그를 포함할 수 있다. 장치들은 다이오드 구성들 중 하나를 갖는 VRMM을 포함한다.</p>
