| 主权项 |
一种半导体记忆装置，包含第一布线、第二布线、第三布线、第四布线、以及包括第一记忆格及第二记忆格之记忆体单元，其系以矩阵配置，其中，该第一布线平行于该第二布线，其中，该第三布线平行于该第四布线，其中，该第一布线垂直于该第三布线，其中，该第一记忆格包括第一电晶体、第二电晶体、及第一电容器，其中，该第二记忆格包括第三电晶体、第四电晶体、及第二电容器，其中，该第一电晶体之汲极连接至该第二电晶体之闸极及该第一电容器之一电极，其中，该第三电晶体之汲极连接至该第四电晶体之闸极及该第二电容器之一电极，其中，该第一电晶体之闸极及该第二电容器之另一电极连接至该第一布线，其中，该第三电晶体之闸极及该第一电容器之另一电极连接至该第二布线，其中，该第一电晶体之源极、该第二电晶体之源极、及该第四电晶体之汲极连接至该第三布线，以及其中，该第三电晶体之源极、该第四电晶体之源极、及该第二电晶体之汲极连接至该第四布线。
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