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一种固态成像元件用磊晶基板的制造方法，其特征在于，至少包括：吸取槽形成工程，使超短脉冲镭射光束朝着半导体基板的一面入射，并使该超短脉冲镭射光束在前述半导体基板的任意微小区域上聚光，从而在该微小区域产生多光子吸收过程，使该微小区域的结晶构造变化形成吸取槽；以及磊晶成长过程，在形成了前述吸取槽的前述半导体基板上，成长至少2层以上的磊晶层，其中前述超短脉冲镭射光束为脉冲宽1.0×10-15~1.0×10-8秒、波长300~1200nm范围，前述超短脉冲镭射光束在前述微小区域，控制为峰值输出密度为1.0×106~1.0×1011W/cm2、光束径为1μm~10mm的范围。 |
