GaN-BASED SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT LIGHT-EMITTING ELEMENT ASSEMBLY LIGHT-EMITTING APPARATUS METHOD OF MANUFACTURING GaN-BASED SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT METHOD OF DRIVING GaN-BASED SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND IMAGE DISPLAY APPARATUS

摘要

GaN계 반도체 발광 소자는, (A) n형 도전형의 제1 GaN계 화합물 반도체층, (B) 활성층, (C) p형 도전형의 제2 GaN계 화합물 반도체층, (D) 제1 GaN계 화합물 반도체층에 전기적으로 접속된 제1 전극, (E) 제2 GaN계 화합물 반도체층에 전기적으로 접속된 제2 전극, (F) 도핑되지 않은(undoped) GaN계 화합물 반도체로 이루어지고, p형 불순물이 활성층으로 확산하는 것을 방지하는 불순물 확산 방지층 및; (G) 적층 구조체 또는 p형 도전형의 제3 GaN계 화합물 반도체층을 구비한다. 활성층과 제2 GaN계 화합물 반도체층 사이에는, 활성층 측으로부터, 불순물 확산 방지층과 적층 구조체가 이 순으로 배치되어 있다.