生长碘化亚汞单晶体的方法及装置

摘要

本发明公开了一种生长碘化亚汞单晶体的方法，包括放置碘化亚汞籽晶、液态汞，以及碘化亚汞预铸锭的熔化和结晶，进一步包括通过加热熔化碘化亚汞多晶原料再自然冷却制取碘化亚汞预铸锭，本发明进一步公开了一种用于生长碘化亚汞单晶体的方法的装置，包括石英安瓿和加热器。本发明提供的生长碘化亚汞单晶体的方法及装置，能够制取高质量大尺寸的碘化亚汞单晶体，且碘化亚汞单晶体接近理想化学配比，余留的汞可以回收利用，同时可对碘化亚汞预铸锭和碘化亚汞单晶体进行多次提纯，得到更高纯度的碘化亚汞单晶体。

主权项

一种生长碘化亚汞单晶体的方法，其特征在于：包括以下步骤：S1：将液态汞和碘化亚汞籽晶从下而上依次放置于碘化亚汞预铸锭上，所述碘化亚汞籽晶完全覆盖于液态汞上方，并将液态汞、碘化亚汞籽晶以及碘化亚汞预铸锭处于真空密闭条件下；S2：保持部分碘化亚汞籽晶为固态，从所述碘化亚汞籽晶与液态汞接触处开始进而对碘化亚汞预铸锭进行竖直方向从上至下的依次加热，使所述碘化亚汞预铸锭从上往下依次熔化并形成分层熔体，并使分层熔体界面处于310～370℃的温度环境中，分层熔体上层为富碘熔体，下层是富汞熔体；S3：在所述碘化亚汞预铸锭从上往下依次熔化并形成分层熔体时，碘化亚汞籽晶完全覆盖于富碘熔体的上方，并于碘化亚汞籽晶固态部分与富碘熔体的接触位置处开始从上至下依次结晶完成，得到碘化亚汞单晶体。