| 发明名称 | 碳化硅单晶以及碳化硅单晶的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种包含螺旋位错(2)的碳化硅单晶，将所述螺旋位错中柏氏矢量b满足b＞＜0001＞+1/3＜11-20＞的位错设定为L位错(2a)。所述L位错由于畸变较大，可能导致漏电流的发生，因而将碳化硅单晶中的所述L位错密度设定为300个/cm<sup>2</sup>以下，优选设定为100个/cm<sup>2</sup>以下，由此能够制成对可以抑制漏电流的器件的制作合适的高品质的碳化硅单晶。 | ||
| 申请公布号 | CN105074059A | 申请公布日期 | 2015.11.18 |
| 申请号 | CN201480009593.6 | 申请日期 | 2014.01.13 |
| 申请人 | 株式会社电装 | 发明人 | 近藤宏行;恩田正一;木藤泰男;渡边弘纪 |
| 分类号 | C30B29/36(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/36(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 刘凤岭;陈建全 |
| 主权项 | 一种碳化硅单晶，其是包含螺旋位错(2)的碳化硅单晶；其中，在所述螺旋位错中，将柏氏矢量b满足b＞＜0001＞+1/3＜11‑20＞的位错设定为L位错(2a)，所述L位错密度为300个/cm<sup>2</sup>以下。 | ||
| 地址 | 日本爱知县 | ||