| 主权项 |
一种高速激光器芯片，其特征在于，包括：一衬底(0)，其为N型InP层；一缓冲层(1)，其为N型InP层并形成于衬底(0)上；一第一渐变限制层(2)，其为N型InAl<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x</sub>As层并形成于缓冲层(1)上，x＝0.5‑0.1；一腐蚀停止层(3)，其为N型InGaAsP层并形成于第一渐变限制层(2)上；一第一波导层(4)，其为N型InP层并形成于腐蚀停止层(3)上；一第二限制层(5)，其为N型InAl<sub>0.5</sub>Ga<sub>0.5</sub>As层并形成于第一波导层(4)上；一第一量子阱垒层(6)，其为非掺杂Al<sub>0.3</sub>Ga<sub>0.7</sub>InAs层并形成于第二限制层(5)上；一量子阱有源层(7)，其为非掺杂10对6nm厚压应变AlGaInAs阱层并形成于第一量子阱垒层(6)上；一第二量子阱垒层(8)，其为非掺杂Al<sub>0.3</sub>Ga<sub>0.7</sub>InAs层并形成于量子阱有源层(7)上；一第二波导层(9)，其为P型Al<sub>0.5</sub>Ga<sub>0.5</sub>As层并形成于第二量子阱垒层(8)上；一光栅层(10)，其为P型Al<sub>0.5</sub>Ga<sub>0.5</sub>As层并形成于第二波导层(9)上；一第三渐变限制层(11)，其为P型Al<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x</sub>As层并形成于光栅层(10)上x＝0.5‑0.1；一欧姆接触层(12)，其为P型InGaAs层并形成于第三渐变限制层(11)上；一绝缘介质层(13)，其为SiO2层并形成于欧姆接触层(12)上；一P型上电极(14)，其为TiPtAu层并形成于欧姆接触层(12)上；一N型下电极(15)，其为Au‑Sn层并形成于衬底(0)的下面。 |
