立式单鼓常温大面积透明导电薄膜的气相沉积方法

摘要

本发明公开了一种立式单鼓常温大面积透明导电薄膜的气相沉积方法，包括如下步骤：将真空系统的高真空度腔体的真空度抽到1×10^-4pa，气相沉积时通入的工艺气体为氩气和氧气的混合气体；所述气相沉积采用气相沉积设备系统实现；将基体固定在自控卷绕系统的放料机构上，所述立式单鼓机构上设置有立式单鼓，所述高真空度腔体内设置有非平衡阴极；通过所述低压等离子体气体放电，在基体上制得立式单鼓常温大面积透明导电薄膜。本发明能够采用常温物理气相沉积，透明导电薄膜沉积光、电指标稳定，微观结构一致。

主权项

一种立式单鼓常温大面积透明导电薄膜的气相沉积方法，其特征在于包括如下步骤：将真空系统的高真空度腔体的真空度抽到1～3×10^‑4pa，气相沉积时通入的工艺气体为氩气和氧气的混合气体；所述气相沉积采用气相沉积设备系统实现，所述气相沉积设备系统包括薄膜真空沉积系统和自控卷绕系统；所述自控卷绕系统包括相连接的放料机构、立式单鼓机构和收料机构，所述薄膜真空沉积系统包括高真空度腔体；将基体固定在自控卷绕系统的放料机构上，所述立式单鼓机构上设置有立式单鼓，所述高真空度腔体内，围绕着立式单鼓周围设置有多对立式中频平面的非平衡阴极；所用基体为多层复合卷绕柔性膜，经自动分开后，环绕立式单鼓，完成磁控溅射透明导电薄膜后，再重新复合卷绕；薄膜沉积过程中，在混合气体氛围下，靶材到立式单鼓的距离为10～20cm；每对非平衡阴极上所施加的功率为10～12kw，施加在沉积靶材上的电流为25～30A；立式单鼓的表面温度为22～28℃；基体在自控卷绕系统上进行卷绕的速度为1～3m/s；通过所述低压等离子体气体放电，在基体上制得立式单鼓常温大面积透明导电薄膜。