发明名称 一种用于升压架构的基极电压控制电路
摘要 本实用新型涉及一种用于升压架构的基极电压控制电路,所述升压架构包括一功率PMOS管,其具有连接至电压输入端的第一极以及连接至电压输出端的第二极,所述电路包括:电压比较器,其正输入端与所述功率PMOS管的第一极连接,其负输入端与所述功率PMOS管的第二极连接;第一电平转换器;第二电平转换器;以及第一至第六PMOS管。本实用新型通过采用电压比较器判断升压架构中的功率PMOS管第一极和第二极的电位高低,并通过第一、第二电平转换器相应地控制第一至第六MOS管的开关状态,从而控制功率PMOS管的基极电位,通过使其在输入电压的不同状态下,选择性地与功率PMOS管的第一极或第二极同电位,进而控制功率PMOS管的第一极和第二极之间的寄生二极管的方向,以输出零电位。
申请公布号 CN204794658U 申请公布日期 2015.11.18
申请号 CN201520444778.1 申请日期 2015.06.25
申请人 灿瑞半导体(上海)有限公司 发明人 罗立权;罗杰;薛经纬
分类号 H02M1/08(2006.01)I 主分类号 H02M1/08(2006.01)I
代理机构 上海智信专利代理有限公司 31002 代理人 邓琪;杨希
主权项 一种用于升压架构的基极电压控制电路,所述升压架构包括一功率PMOS管,其具有连接至电压输入端的第一极以及连接至电压输出端的第二极,其特征在于,所述电路包括:电压比较器,其正输入端与所述功率PMOS管的第一极连接,其负输入端与所述功率PMOS管的第二极连接;第一电平转换器,其输入端连接至所述电压比较器的输出端,其第一输出端的电平与其输入端的电平一致,其第二输出端的电平与其输入端的电平相反;第二电平转换器,其输入端连接至所述电压比较器的输出端,其第一输出端的电平与其输入端的电平一致,其第二输出端的电平与其输入端的电平相反;第一PMOS管,其栅极与所述第一电平转换器的第一输出端连接,其源极连接至所述电压输出端;第二PMOS管,其栅极和漏极分别与所述第一PMOS管的栅极和漏极连接,其源极接地;第三PMOS管,其栅极与所述第一电平转换器的第二输出端连接,其漏极连接至所述电压输入端,其源极与所述第二PMOS管的源极相连至所述功率PMOS管的基极;第四PMOS管,其栅极与所述第二电平转换器的第二输出端连接,其源极与所述第一PMOS管的源极连接;第五PMOS管,其栅极和漏极分别与所述第四PMOS管的栅极和漏极连接,其源极接地;以及第六PMOS管,其栅极与所述第二电平转换器的第一输出端连接,其漏极与所述第三PMOS管的漏极连接,其源极与所述第五PMOS管的源极连接。
地址 200081 上海市虹口区四川北路1717号1006室