| 发明名称 | FinFET体接触件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件可以包括用于ESD保护的位于finFET器件上的体接触件。半导体器件包括半导体鳍状件、源极/漏极区和体接触件。源极/漏极区和体接触件位于半导体鳍状件中。鳍状件的一部分在横向上位于源极/漏极区和体接触件之间。半导体鳍状件位于衬底上。本发明还提供了一种FinFET体接触件及其制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN103227202B | 申请公布日期 | 2015.11.18 |
| 申请号 | CN201310021916.0 | 申请日期 | 2013.01.21 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 娄经雄;李介文;林文杰;曾仁洲 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：衬底；位于所述衬底之上凸起的鳍状件；所述鳍状件包括：所述鳍状件中的第一源极/漏极区；所述鳍状件中的第一体接触件；以及所述鳍状件的第一部分，所述第一部分从所述第一源极/漏极区延伸到所述第一体接触件；以及所述鳍状件中的第二源极/漏极区，所述第二源极/漏极区在与所述第一体接触件相反的方向上与所述第一源极/漏极区分横向隔开；以及所述鳍状件中的第二体接触件；所述鳍状件的第二部分，所述第二部分从所述第二体接触件延伸到最邻近的源极/漏极区域。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||