以硫化氢反应性退火降低奈米粒子－衍生薄膜中之碳;HS REACTIVE ANNEAL TO REDUCE CARBON IN NANOPARTICLE-DERIVED THIN FILMS

摘要

本发明系关于一种使用CIGS奈米粒子在基板上制造CIGS吸收剂层之方法，该方法包括一或多个退火步骤，该等退火步骤涉及加热该(等)CIGS奈米粒子薄膜以乾燥该薄膜及可能使该等CIGS奈米粒子熔合在一起以形成CIGS晶体。通常，至少该最终退火步骤将诱导粒子熔合以形成CIGS晶体。已发现反应性气体退火有助于在所得CIGS吸收剂层中生长较大颗粒并改善彼等层之光伏打性能。怀疑CIGS奈米粒子薄膜中存在碳会阻碍可在退火时在CIGS薄膜中获得之晶体之颗粒生长及限制其大小。已发现将该等CIGS奈米粒子薄膜曝露于含有硫之反应性氛围下可降低薄膜中之碳量，从而导致退火时生长较大CIGS晶体。